東芝、西數(shù)開發(fā)的64層堆棧512Gb核心容量的TLC閃存及硬盤已經(jīng)開始出貨，此前三星、美光、Intel也各自發(fā)布了64層堆棧的3D NAND閃存，而SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數(shù)更多，去年底就推出了48層堆棧的，今年4月份更是首發(fā)了72層堆棧閃存，下一步則是96層堆棧，再往后則是128層堆棧，核心容量可提升至1Tb(238GB)。

此外，TLC閃存現(xiàn)在已經(jīng)成為市場的主流，明年開始QLC閃存也要正式進(jìn)入商業(yè)化了，而MLC閃存恐怕要步SLC閃存的后路了。

與其他廠商的3D NAND閃存相比，SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數(shù)更多，去年其他廠商還在堆棧32層的時候，他們就做了48層堆棧的了，今年其他廠商是64層堆棧，SK Hynix搞的的是72層堆棧，不過層數(shù)雖多，SK Hynix的3D閃存核心容量并不算高，4月份發(fā)布的72層堆棧3D閃存核心容量才256Gbit，只是其他家32層堆棧的3D NAND閃存的水平，東芝、西數(shù)及三星的64層堆棧已經(jīng)可以做到512Gbit核心容量。

SK Hynix后面不僅會提升堆棧層數(shù)，容量也同樣會提升。Tomshardware報道稱他們下一代產(chǎn)品是96層堆棧的，核心容量將提升到512Gbit。當(dāng)然，這也不是終點(diǎn)，原文稱其他韓國SSD廠商（這是說三星？）將推出128層堆棧的3D NAND閃存，核心容量將提升到1Tbit。

這是什么概念？目前主流的閃存核心容量才256Gbit，1Tbit容量密度是它的四倍，也就是128GB容量，而我們在SSD上常見的NAND芯片是由多個核心組成的，即便是4個核心，那么一片“閃存”的容量也有512GB了，M.2這樣的SSD上正反面至少可以布置4篇閃存，那么容量輕松達(dá)到2TB，如果內(nèi)部搭配的核心更多，那么4TB、8TB也很正常。

當(dāng)然，128層堆棧的3D NAND閃存可能還要一兩年時間才能問世，今年主流是64層堆棧，明年會提升到96層，128層大概要等到2019年了。

除了堆棧層數(shù)之外，提升NAND容量、降低成本還有別的方式，這就是NAND一路走路的SLC、MLC、TLC以及未來的QLC閃存——SLC大家都知道它的好處，性能最強(qiáng)，可靠性最高，但是成本也是最貴的，MLC次之，可惜現(xiàn)在只在部分高端型號上才見到了，TLC閃存之前一直被人吐槽性能差、可靠性低，但是TLC閃存現(xiàn)在已經(jīng)成為主流了，特別是在3D NAND時代。

下一步就是QLC閃存，也就是Quad bit per cell（4bit per cell），每個cell單元容納4位數(shù)據(jù)，比TLC的3位數(shù)據(jù)還多，好處是容量更大，但缺點(diǎn)也跟TLC一樣，都是犧牲了可靠性及寫入性能，因?yàn)镼LC對信號的控制要求更嚴(yán)格，所需的校驗(yàn)更多。

從這幾年的情況來看，Intel、美光、三星等公司早就在研究QLC閃存了，它從實(shí)驗(yàn)室走入市場只是時間問題，這次的臺北電腦展上給出了更具體的信息，明年的電腦展上就能見到QLC閃存了。不只是TH這么報道，我們的記者團(tuán)在跟廠商交流時也得到了類似的信息，那就是QLC閃存在明年下半年就會嶄露頭角。

從TLC最初的遭遇來看，QLC初期肯定也會面臨性能、可靠性等方面的質(zhì)疑，不過成本更低、容量更大的要求使得QLC沒有后退的可能，這條路沒法逆轉(zhuǎn)了。更加“悲劇”的則是以前大家覺得是次品的MLC閃存也會越來越稀罕，一旦QLC成熟了，MLC閃存狗帶的命運(yùn)也是不可避免的。

對消費(fèi)者來說，其實(shí)并不需要太在意閃存類型，早前閃存可靠性之所以受人關(guān)注，除了先天的技術(shù)問題外，還有一個重要因素就是之前的SSD容量太小，而對NAND來說，容量=壽命，大家購買的容量越大，可使用時間就越長，等到QLC閃存成熟了，SSD硬盤容量估計(jì)都是TB級的，寫入壽命這事并不需要這么耿耿于懷，還是要看到技術(shù)進(jìn)步的。