長江存儲周一公布了有關其Xtacking架構的關鍵細節，該架構將用于其即將推出的3D NAND閃存芯片。該技術涉及使用兩個晶圓構建NAND芯片：一個晶圓包含基于電荷陷阱架構的實際閃存單元，另一個晶圓采用CMOS邏輯。

傳統上，NAND閃存的制造商使用單一工藝技術在一個晶片上產生存儲器陣列以及NAND邏輯（地址解碼，頁面緩沖器等）。相比之下，長江存儲打算使用不同的工藝技術在兩個不同的晶圓上制作NAND陣列和NAND邏輯，然后將兩個晶圓粘合在一起，使用一個額外的工藝步驟通過金屬通孔將存儲器陣列連接到邏輯。

Xtacking架構旨在使NAND獲得超快的I/O接口速度，同時最大化其內存陣列的密度。

長江存儲表示，其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3Gbps，比三星最新的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。

從理論上講，高I/O性能將使SSD供應商能夠只用較少的NAND通道制作低容量SSD而不會影響性能，從而抵消了高傳輸率的低并行性。

此外，通過將控制邏輯定位在NAND存儲器陣列下方，長江存儲表示Xtacking架構允許最大化其3D NAND容量，并最小化芯片的尺寸。

長江存儲稱，由于存儲密度的增大可以抵消額外的邏輯晶圓成本，使用兩個300毫米晶圓不會顯著增加生產成本。與其他制造商一樣，長江存儲沒有公開用于3D NAND的光刻節點，只對外公布使用XMC的工廠生產內存和邏輯，并稱外圍邏輯晶元將使用180nm制程加工。

由于兩種晶圓均采用成熟的制造技術進行加工，因此長江存儲不需要非常高的混合和匹配覆蓋精度來將它們粘合在一起并形成互連通孔。

一般來說，存儲顆粒制造商傾向于將模具尺寸保持在較低的水平，以提高競爭力和盈利能力。對于2D NAND來說，在涉及到通常的Gb/mm2指標時，拋開所有復雜性和產率，較小的芯片會讓晶圓成本分散在更多芯片上，進而在成本方面獲勝。

而隨著晶圓在化學氣相沉積（CVD）機器上花費更多時間，3D NAND技術變得更加復雜，因此晶圓廠加工的晶圓數量以及晶圓本身的成本不再是至關重要的指標。

盡管如此，它們對于像長江存儲這樣的公司來說，通過將控制邏輯放在內存數組中，使其NAND密度最大化就已經足夠重要了。